V10PM12-M3/86A
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10PM12-M3/86A
| Artikelnummer: | V10PM12-M3/86A |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10PM12-M3/86A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments V10PM12-M3/86A.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 830 mV @ 10 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 120 V Technologie Schottky Supplier Device-Gehäuse TO-277A (SMPC) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie eSMP®, TMBS® Verpackung / Gehäuse TO-277, 3-PowerDFN Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 400 µA @ 120 V Strom - Richt (Io) 3.9A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer V10PM12 V10PM12-M3/86A Einzelheiten PDF [English] V10PM12-M3/86A PDF - EN.pdf -
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